Stm: collabora con Soitec su tecnologia per produrre substrati in SiC
Stm e Soitec annunciano la nuova fase della loro collaborazione sui substrati in SiC (carburo di silicio), che prevede che Stm qualifichi la tecnologia dei substrati in SiC di Soitec nel corso dei prossimi 18 mesi. L’obiettivo di questa collaborazione è l’adozione da parte di Stm della tecnologia SmartSiC di Soitec per la futura produzione di substrati da 200 mm che andranno ad alimentare le sue attività di produzione di dispositivi e moduli, con una produzione in volumi prevista a medio termine.
“Il passaggio alle fette in SiC da 200 mm apporterà vantaggi sostanziali ai nostri clienti dei settori automotive e industriale, mentre accelerano la transizione verso l’elettrificazione dei loro sistemi e prodotti. È importante per trainare economie di scala e accompagnare l’espansione in volumi dei prodotti”, ha dichiarato Marco Monti, President Automotive and Discrete Group di STMicroelectronics.
Il carburo di silicio è un materiale semiconduttore composto grandemente innovativo, le cui proprietà intrinseche consentono di ottenere livelli di prestazioni ed efficienza superiori rispetto al silicio in applicazioni di potenza strategiche e in forte crescita nei campi della mobilità elettrica, dei processi industriali e non solo.
La transizione dalle fette da 150 mm a quelle da 200 mm consentirà un incremento sostanziale della capacità produttiva, permettendo di arrivare quasi a raddoppiare l’area utile per la produzione di circuiti integrati e aumentando di 1,8-1,9 volte il numero dei chip realizzabili per wafer.
Ben intonato il titolo Stm a Piazza Affari, con un rialzo del 4,2% a 37,57 euro, rispetto al +0,4% del Ftse Mib. Gli acquisti premiano l’intero comparto europeo dei microchip, con rialzi anche per Infineon (+2,7%), Asml (+3,5%) e Asm International (+5%), in scia all’apertura di Powell ad un rallentamento nel rialzo dei tassi.
